d6a98ef4

SK Hynix начинает изготовление памяти 3D NAND

Организация SK Hynix сообщила о готовности к началу глобального изготовления памяти 3D NAND, которая будет применяться в свежих модификациях твердотельных накопителей. Двухслойная память SK Hynix позволит поднять их мощность и снабдит хорошую надёжность. Свежие чипсеты заключаются из 36 слоёв и имеют ёмкость 128 Гбит. Эталоны этих микросхем были доступны партнёрам SK Hynix на протяжении нескольких кварталов.

Организация также завершает работу над образованием 48-слойного чипсета TLC 3D NAND, изготовление подобных чипов памяти начнётся в 2016 году. Что же касается соперников, то SanDisk начала общее изготовление 3D NAND на 2 года позднее «Самсунг» Электроникс, однако приблизительно в то же самое время, что и Micron и Toshiba. Чипсеты Micron ёмкостью 256 и 384 Гбит в существенных числах будут в четвёртом месяце 2014 г.

Вариации технологии 3D NAND

Вариации технологии 3D NAND

Пока, SK Hynix обнародовала крайне несколько данных о своём виде памяти 3D NAND. Ряд специалистов полагает, что эти чипсеты нужны компании, преимущественно, для своего изготовления твердотельных накопителей. Компании «Самсунг» удалось в своё время ощутимо уменьшить расценки на SSD-накопители за счёт применения чипов 3D V-NAND. Такой же шаг, скорее всего, сделает и SK Hynix, от чего будущие покупатели лишь выиграют.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий