Декабрь 23rd, 2021 
raven000 Самый крупный договорный изготовитель микроэлектроники на планете, организация TSMC обнародовала объявление, в котором отказывается вероятность задержек как квалифицированного, так и глобального изготовления чипов с применением 10-нанометрового техпроцесса. Организация собирается начать платное изготовление подобных микросхем к концу 2015 года, следовательно, покупатели приобретают первые 10-нанометровые микросхемы в I квартале 2017 года.
Стоит отметить, что начало изготовления не обозначает автоматом начала общественных поставок. Промышленный курс трудного микрочипа, формируемого с применением техпроцесса 10-нм FinFET, занимает не менее 100 суток, начиная от нагой кремниевой подложки и заканчивая поставкой готового изделия. Следовательно, покупатели TSMC, рассчитывающие на свежий процесс, на самом деле сумеют получить собственные первые предзаказы не раньше I квартала 2017 года. На самом деле крупное изготовление с применением нового техпроцесса начнётся только в середине I квартала либо даже конце 2-го квартала 2017 года.
TSMC также открыла разные целевые характеристики техпроцесса 10-нм FinFET (CLN10FF) для разных примеров, следовательно, заключительной версии этих данных ещё нет. Сейчас TSMC полагает, что процесс CLN10FF позволит повысить насыщенность положения транзисторов на 110–120 % по сравнению с ходом CLN16FF+, на 15 % повысить частый потенциал при прежнем уровне энергопотребления, или уменьшить заключительный показатель на 35 % при прежней частоте и проблемы. Раньше TSMC держалась не менее оптимистических сценариев, например, говорилось о 20 % прироста в частотном потенциале и 40 % понижении значения энергопотребления.
При разработке 10-нанометрового техпроцесса TSMC сосредоточила главные старания на увеличении насыщенности расположения транзисторов, что должно уменьшить стоимость свежих изделий в пересчёте на триод. Использующийся сейчас 16-нанометровый процесс TSMC применяет BEOL (back-end-of-line, межблочные объединения, контакты и диэлектрики), первоначально спроектированные для 20-нанометрового техпроцесса, следовательно, выпускаемые с его применением чипсеты имеют такие же размеры, что и целиком применяющие 20-нанометровые технические нормы. В конечном итоге, для большинства создателей, не располагающих своими производственными мощностями, 16-нанометровые технологии TSMC чересчур автодороги в пересчете «на триод», в том числе из-за применения FinFET.
Нужно сообщить, что превосходства 10-нанометрового техпроцесса TSMC по сравнению с 16-нм FinFET (CLN16FF) смотрятся не сильно впечатляюще. И более того, новая модификация 16-нанометрового техпроцесса, CLN16FF+, может снабдить такие же превосходства — порядка 15 % выигрыша в тактовой частоте либо до 30 % понижения значения энергопотребления.
Опубликовано в рубрике 
