IT — последние новости

Похоже, что на рынке накопителей в ближайшее время может случиться еще одна техническая революция. В любом случае, так описывают потенциал технологии, позволившей экспертам Intel и Micron сделать свежий вид памяти на основе архитектуры 3D Xpoint. Система 3D Xpoint — 1-ое важно свежее решение в сфере образования памяти со времени возникновения NAND Flash, сделанной в 80-х гг. XX столетия. Память 3D Xpoint была основана, по версии президента Micron, отвечающего за научно-исследовательскую и опытно-конструкторскую деятельность компании, чтобы стать добавлением к имеющимся сегодня архитектурам NAND и DRAM. При этом 3D Xpoint соединяет внутри себя превосходства двух видов памяти.

По имеющимся данным, быстродействие накопителей 3D Xpoint, если приравнивать их с флеш-памятью на базе ячей NAND, превзойдёт заключительную по данному уровню не только в двадцать либо сто раз, а, как заявляет пресс-релиз Micron, тысячекратно. В довесок, 3D XPoint обойдёт NAND и по надёжности — показатель надежности 3D Xpoint также в 1000 раз превзойдет значение, свойственное для NAND. 

Впрочем 3D Xpoint будет существенно стремительней NAND, она будет серьёзно проигрывать в мощности стандартной DRAM: отделение по скорости будет располагаться в краях точного порядка, но опережает её по густоте сохранения данных в 8–10 раз. Архитектура 3D Xpoint дает возможность не только лишь формировать надёжную энергонезависимую память, но также и ставить большое количество «слоёв» такой памяти в одной микросхеме, что позволит повышать ёмкость чипов памяти, снижая их стоимость.

www.bbc.com

Показанное решение, разработка которого проводилась с 2012 года, посодействует существенному повышению мощности почти для всех видов компьютерных механизмов: от игровых ПК до производительных компьютеров и суперкомпьютеров. Так, по заверениям Intel, архитектура 3D Xpoint позволит кредитным конструкциям и денежным компаниям оперативнее обнаруживать модели экономического жульничества; увеличит результативность ПО, нацеленного на разбирание видов в режиме настоящего времени и тест генетической информации. Также, память 3D Xpoint раскроет доступ игрокам к игровому тексту в высоких разрешениях, таких как 8K. 

www.bbc.com

www.bbc.com

Себестоимость производства микросхем 3D Xpoint из расчёта на 1 бит будет где-то между ценой памяти NAND и DRAM, что достаточно низко. Первые микросхемы 3D Xpoint, продемонстрированные Intel и Micron, имеют ёмкость 128 Гбит. 1 чипсет MLC NAND такой ёмкости стоит на спотовом рынке приблизительно $7,5. Для аналогии, одна схема DDR3 DRAM ёмкостью 4 Гбит обходится в $2,3, т.е. в 10 раз больше в пересчёте на гигабит. Так что, 3D Xpoint вполне может быть в 5 раз дешевле стандартной NAND флеш-памяти, что сотворит устройства на её базе очень дорогими.

Изготовление свежих микросхем памяти вида 3D Xpoint должно начаться в 2016 году в производственном комплексе IM Flash Технолоджис, общего предприятия Intel и Micron, в городке Лехай, штат Юта (Lehi, Utah). Эта фабрика может начинать обработку 20 миллионов 300-мм подложек с микросхемами в месяц, но она применяется также для изготовления NAND флеш-памяти и 3D NAND флеш-памяти, что обозначает следующее: объёмы 3D Xpoint в 2016 году едва ли будет можно представить значительными.

www.bbc.com

Обе компании рассчитывают представить платные продукты на основе 3D Xpoint памяти в 2016 году, но пока неизвестно, что это будут за изделия. Что же касается четких расценок продукции по сравнению с подобными устройствами, использующимися сегодня, то представители Intel-Micron приняли решение пока удержаться от её озвучивания. Необходимо отметить, что 3D Xpoint считается проприетарной памятью, из-за этого открывать её для посторонних изготовителей — предлагать лицензирование технологии соперникам «по цеху» — не ожидается. Из-за этого доступность памяти 3D Xpoint будет не сильно большой.