d6a98ef4

IBM обучилась производить чипсеты с питанием 0,3 вольта

Классическая процессорная архитектура компании IBM носит имя «Power», которое в переводе не нуждается. Это мощь, мощность и непоколебимость — качества, которые помогли вычисляемым платформам IBM угодить в первые строки хит-парада сильнейших суперкомпьютеров мира. Однако отныне в почёте не столько предельная мощность, как энергоэффективность. Одно иного не исключает, да. Все-таки, ситуация на рынке полупроводников требует смещения упора на серьезное понижение употребления там, где только вероятно.

В процессе доклада под наименованием «14nm FinFET Based Supply Voltage Boosting Techniques for Extreme Low Vmin Operation» на симпозиуме VLSI Technology 2015, который прошёл в конце июля в Киото, официальный дилер IBM сообщил об эксклюзивной технологии, способной уменьшить рабочее усилие транзисторов до 0,3 вольт. Организация продемонстрировала 14-нм SRAM-память, произведенную на SOI-подложке с применением FinFET-транзисторов. Новая система представляет из себя комбинацию модели динамически изменяемого усилия питания (согласно к SRAM — это увеличение питания по разрядной покрышке) и работы с усилием на уровне порогового значения (0,2-0,3 В).

По версии создателя, система «Based Supply Voltage Boosting Techniques» соединяет максимально невысокое употребление с перспективой «краткого» прохода в порядок предельной мощности при подаче «форсирующего усилия». При этом окончательное употребление будет только немного выше, как если б схема всё время работала с усилием питания 0,3 В. Также в компании выделяют, что в отличии от прочих моделей реализации динамически изменяемого питания, подход IBM не менее успешен. Так, площадь микросхемы SRAM с помощью технологии «Boosting Techniques» больше стандартного кристалла SRAM только на единицы %, что вряд ли повысит себестоимость любопытных решений.

Схема SRAM с усилием питания 0,2-0,3 В (IBM)

Микролит SRAM с усилием питания 0,2-0,3 В (IBM)

В конце концов, в IBM убеждены в успешном масштабировании новой технологии. При помощи аналитической системы пророчеств и компьютерных приборов для разработки чипов Technology CAD (TCAD) выполнен расчёт, который доказывает вероятность производства 7-нм полупроводников с технологией спортивного увеличения питания. А в том, что организация IBM обучилась производить квалифицированные 7-нм полупроводники, мы не колеблемся.

На весенней сессии IDF 2013 организация Intel продемонстрировала электронику, работющую от бокала вина (Intel)

На весенней сессии IDF 2013 организация Intel продемонстрировала электронику, работающую от бокала вина (Intel)

В заключение добавим также, что организация Intel также активно действует в направлении, сопряженном с работой полупроводниковых моделей на уровне порогового значения усилия. на всех форумах IDF заключительных двух-трёх лет организация Intel демонстрировала работу специально произведенных микропроцессоров, работающих от солнечных частей и от бокала вина. Усилие питания подобных моделей составляло 0,4-0,5 В. Можно сообщить, что организация IBM обогнала организацию Intel не только лишь в плане производства квалифицированного 7-нм кремния, но и в области подготовки полупроводников с максимально невысоким усилием питания.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий