IT — последние новости

Как мы докладывали, компании Intel и Micron празднично сообщили о разработке новаторской энергонезависимой памяти 3D XPoint. Свежий вид памяти в 1000 раз стремительней и устойчивее к сносу, чем память NAND стрит, и в 10 раз крепче классической материнской платы DRAM-типа. Что самое удивительное, новая система выбежала как чёртик из табакерки. Позавчера её не было, а сегодня создатели рассказывают о готовности доставлять эталоны новинки и гарантируют старт глобального изготовления до конца 2016 года. Честно говоря, так не бывает. Всего лишь в грезах.

Эталоны памяти 3D XPoint ёмкостью 128 Гбит

На данный момент нельзя сообщить, как функционирует память 3D XPoint. Экспертам ещё предстоит разобраться в элементах и техпроцессах. В Intel и Micron пока не планируют пояснять моменты работы этой технологии. По всей видимости, в настоящее время начнётся либо стартовал поиск определённых патентов обоих организаций. Так как невозможно ликвидировать, что оба создателя умалчивают компоненты просто потому, что примененный в 3D XPoint подход и (либо) элементы достаточно давно кем-то спроектированы и патентованы, лишь именуются иначе. К примеру, мемристор.

Здание памяти 3D XPoint воспроизводит архитектуру ReRAM

Все дело в том, что здание памяти 3D XPoint — это традиционный вариант так именуемой перекрёстной памяти (cross-point). В первую очередь такую конструкцию объединяют с конструкцией резистивной памяти ReRAM. Организация HP для такой памяти разработала имя «мемристор» и представила его четвёртым электротехническим объектом. Что препятствовало фирмам Intel и Micron представить ReRAM памятью 3D XPoint? Да ничего! Представитель Intel, к слову, доказал, что принцип записи данных в ячейку памяти 3D XPoint базируется на способ перемены противодействия источника. На первый взгляд, вот он ответ, однако его вновь нет.

В случае традиционного вида памяти ReRAM в ячее памяти при дополнении усилия появляются постоянные нитевидные конструкции из ионов деятельного вещества — золота, меди либо иного источника с повышенной проводимостью. За счёт «нитей» поток течёт от одного электрода к другому и в ячее памяти появляется среда с определённым противодействием. По версии Intel и Micron, механизм работы памяти 3D XPoint не имеет ничего совместного с нитевидной текстурой работы ячеи ReRAM. Рабочий источник ячеи XPoint переключает положение полностью (в изображении применен термин «bulk»).

Различие конструкции ячеи памяти ReRAM и CeRAM

Монолитный характер переключения положения ячеи XPoint может появиться в 2-ух знаменитых вариантах. Прежде всего, это вполне может быть такая  модель памяти ReRAM, как CeRAM (Correlated electron Рэм, память с коррелированным электроном). В рабочем покрове CeRAM именно случаются символически единые перемены без создания нитевидных токопроводящих строений. Во-вторых, совместное перемены положения ячеи вполне может быть в случае памяти с развитием фазисного положения вещества (PRAM либо PCM). Организация HP, к слову, не так давно поменяла проекты, и первые макеты системы Machine будет производить на памяти PRAM, а не на памяти ReRAM, как предполагалось первоначально. Совпадение? Не полагаю. (с)

2 положения вещества ячеи памяти PRAM (PCM)

Организация Micron достаточно давно получила главные патенты наизусть PRAM, и в случае если она на самом деле сумела сделать довольно небольшую ячейку памяти PRAM в составе перекрёстной архитектуры — это на самом деле революция. До сегодняшнего дня площадь ячеи памяти с развитием фазисного положения вещества была внушительная, что урезала её применение. Тем не менее, пока вопросов о памяти XPoint больше, чем решений. Ждём деталей.