d6a98ef4

TSMC: 7-нм технический процесс будет применять детали 10-нм технологии

Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. открыла определенные детали о 7-нм техническом процессе для производства микросхем. По утверждению влиятельного управляющего TSMC, свежий процесс применяет детали 10-нм общепризнанных мерок изготовления. Впрочем такой подход имеет ряд плюсов, он также имеет собственные минусы. Организация доказала проекты начать квалифицированное изготовление по новой технологии в самом начале 2017 года и пройти к групповому производству микросхем по этому процессу в 2018.

7 в 18

«Разработка технического процесса 7 hm идёт общим ходом», — заявил Марк Заливаю (Mark Liu), аккуратный содиректор TSMC, в процессе телефонной пресс-конференции с инвесторами и денежными специалистами. «У нас есть бригада, работающая одновременно по данной платформе. Мы рассчитываем начать профессиональное изготовление по 7-нм технологии в I квартале 2017 года, через 5 кварталов после старта квалифицированного изготовления по техпроцессу 10 hm».

Промышленный комлекс TSMC fab 15

Промышленный комлекс TSMC fab 15

Время исхода 7-нм технологии TSMC на рынок — первый либо 2-й квартал 2018 года — представляется редкостно начальным, так как общее изготовление по технологии 10 hm стартует в 2017 году. Все-таки, судя по всему, 7-нм процесс TSMC не считается чем-нибудь новым, спроектированным с чистого листка. По утверждению г-на Заливаю, технический процесс 7 hm (чьё официальное наименование пока неясно) будет иметь «родство» (relationship) с 10-нм технологией, подобное тому, что мы видели в истории с 16-нм и 20-нм действиями TSMC.

Схожие связи

Аккуратный содиректор TSMC не уточнил характер «схожей связи» между 2-мя технологиями изготовления микросхем, однако заявил, что это позволит компании продлить применять такие же приборы для инспекции браков, прогнозирования, метрологии и т.д., что и в истории с ходом 10 hm. Также, опыт, который TSMC обретет в процессе изготовления накопленных моделей по техпроцессу 10 hm, сможет помочь компании получить большой выход пригодных в самом начале применения 7-нм технологии.

300-мм подложка TSMC с бравёнными негожими микросхемами

300-мм подложка TSMC с бравёнными негожими микросхемами

Как нам известно, 20-нм и 16-нм технические процессы Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. применяют одни слои с межблочными объединениями, контактами, диэлектриками и т. п. (т. н. back end of line, BEOL), однако отличаются использованием транзисторов с отвесно размещенным затвором (FinFET) в 16-нм виде. В итоге, впрочем 16-нм технические процессы позволяют серьёзно увеличить тактовые частоты и снизить потребление, арифметические объемы чипов, произведённым по 20-нм и 16-нм технологиям, одинаковы. Сравнительно невысокая насыщенность транзисторов у 16-нм технических действий TSMC делают эти технологии очень дорогими для применения фирмами, которым необходимы микросхемы с множеством многофункциональных блоков. С иной стороны, применение знакомых производителю слоёв BEOL почти во всем обещает неимение браков в них, что повышает выход пригодных микросхем в самом начале срока жизни свежих технологий.

Масштабирование под вопросом

Пока, организация TSMC не открыла никаких подлинных данных о 7-нм техническим процессе, и о том, какие конкретно детали 10-нм технологии он будет применять.

Официально организация гарантирует, что 7-нм процесс позволит повысить тактовые частоты и сделать лучше «масштабирование» микросхем. Но, если 7 hm продолжит применять межблочные объединения и диэлектрики от технологии 10 hm, сложно ждать от неё сильного повышения насыщенности транзисторов. С иной стороны, так как 10-нм процесс гарантирует среднее повышение частотного потенциала (до 15 %) и среднее понижение энергопотребления (до 35 %) сравнивая с современной технологией 16 hm (CLN16FF+), 7-нм система возможно окажется точно тем, что понадобится рынку для высокопроизводительных микросхем в конце 2018 года.

В «чистой комнате» производственного комплекса TSMC

В «чистой комнате» производственного комплекса TSMC

Свежие реалии

В прошлом десятилетии компании TSMC и UMC предоставляли усовершенствованные версии собственных главных технологий, которые выходили оковём специальной подстройки фотолитографических сканеров. Как раз так мир увидел 110-нм технологию (усовершенствованная 130-нм), 80-нм (сокращенная 90-нм), 55-нм и т.д. Такие техпроцессы применяли такие же библиотеки частей, средства автоматического разработки и производственное оснащения, что и «полновесные». Но благодаря узкой регулировке сканеров, «свернутые» техпроцессы помогали снизить площадь кристаллов, повысить частый потенциал и/либо снизить потребление в отсутствии целиком нового технического процесса и потребности перепроектировать накопленные модели.

Сейчас такие узкие опции сканеров не менее не используются. Все-таки, как хорошо видно, договорные изготовители микросхем применяют детали собственных технологий в различных поколениях техпроцессов. Так, TSMC, «Самсунг» и GlobalFoundries применяют BEOL от прошлого техпроцесса в собственных 16-нм и 14-нм разработках изготовления. С одной стороны, это помогает избежать ряда неприятностей и вывести свежие техпроцессы на рынок стремительней. С иной, это значит, что на самом деле свежие нормы изготовления, которые развивают все характеристики микросхем, выходят на рынок всё намного реже.

300-мм подложка TSMC

300-мм подложки TSMC

По всей видимости, Intel остаётся одной организацией, которая разрабатывает свежие технические процессы в целях усовершенствования всех нюансов собственных товаров. Пока, разработка подобных ведущих технологий является всё труднее и занимает всё больше времени. Из-за несовершенства приборов изготовления организация не так давно сообщила, что обязана применять одинаковую технологию не 2, а 3 года.

Обосновываясь на разных объяснениях начальников Intel, сделанных в заключительный год, не трудно догадаться, что организация рассчитывает пересмотреть вероятность применения сканеров с протяженностью волны 13,5 hm (спектр жёсткого ультрафиолета, EUV), свежие элементы, и свежую конструкцию транзисторов для собственной 7-нм технологии.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий